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IDT70V3389S
High-Speed 64K x 18 3.3V Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Capacitance (1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z ) TQFP ONLY
Industrial and Commercial Temperature Ranges
C OUT
Symbol
C IN
(3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
10.5
Unit
pF
pF
NOTES:
4832 tbl 07
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V3389S
Symbol
|I LI |
|I LO |
Parameter
Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
Min.
___
___
Max.
10
10
Unit
μA
μA
V OL (3.3V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (3.3V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
2.4
___
V
V OL (2.5V)
V OH (2.5V)
Output Low Voltage (2)
Output High Voltage (2)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
___
2.0
0.4
___
V
V
NOTE:
1. At V DD < - 2.0V input leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to p.4 for details.
7
6.42
4832 tbl 08
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